SK Hynix lance les mémoires Dram LPDDR4 avec les gravures les plus fines

Le Coréen a débuté la production de volume de mémoires Dram LPDDR4 de 8 Go avec un procédé de lithographie aux UV extrêmes qui lui permet de fabriquer 25% de puces en plus pour une même surface de wafer, par rapport aux procédés de génération précédente.

En début d’année, le coréen SK Hynix terminait sur le site de son siège social situé à Icheon, la construction d’une usine flambant neuve, baptisée M16, et entièrement consacrée à la production de mémoires Dram de dernière génération.

Six mois après, le numéro deux mondial des mémoires (derrière son compatriote Samsung, mais devant l’Américain Micron Technology) annonce le lancement de la production de volume de mémoires Dram LPDDR4 de 8 Go, les premières du coréen à être fabriquées dans cette usine avec un procédé de photolithographie aux ultraviolets extrêmes (EUV) utilisé pour réduire les géométries de gravure des puces. Ces mémoires affichent un débit de données de 4266 Mbit/s – le plus rapide dans une spécification Dram mobile LPDDR4 standard, selon SK Hynix – et une consommation électrique réduite de 20%.

SK Hydix rejoint ainsi Samsung – le leader du marché dispose lui aussi depuis l’an passé d’une usine de Dram produites par lithographie EUV – et va même plus loin puisqu’il précise que ses Dram LPDDR4 de 8 Go sont les plus avancées du marché car produites avec la gravure la plus fine au monde (pour ce type de puces).

Selon le Coréen, il s’agit en effet de la quatrième génération des procédés de rang 10 nm (ceux dont la taille de gravure va de 10 nm à 19 nm) dite “1a nm”, après les trois générations précédentes baptisées “1x nm”, “1y nm” et “1z nm”. Si la taille de gravure n’est pas précisée, elle est donc vraisemblablement plus proche de 10 nm que de 19 nm.

Quoi qu’il en soit, le passage à la lithographie EUV permet à SK Hynix d’accroître de 25% le nombre de puces produites par tranche, en comparaison du nœud “1z nm”.

A noter que le Coréen prévoit d’utiliser la technologie EUV pour la production de toutes ses mémoires Dram “1a nm” à l’avenir. Il appliquera d’ailleurs ce procédé à ses mémoires DDR5 dès le début 2022.

 « La dernière génération de Dram “1a nm” aidera non seulement à assurer une rentabilité élevée, mais consolidera également le statut de SK Hynix en tant que société technologique de premier plan avec l’adoption précoce de la technologie de lithographie EUV pour la production de masse », a précisé Cho Youngmann, vice-président de SK Hynix. Bref, la bataille entre Samsung et SK Hynix sur ce créneau bat son plein.