Le Japonais vient de finaliser le rachat du Californien Transphorm, un spécialiste du GaN pour l’électronique de puissance, et propose déjà dans son catalogue des conceptions de référence basées sur cette technologie à destination, entres autres, des véhicules électriques.
Dans son offre en solutions de puissance, le Japonais souhaite donner le choix à ses clients entre le silicium, le SiC et le GaN. Ce rachat comble en partie son manque dans ce dernier domaine.
Le Californien Transphorm, pionnier dans le développement et la fabrication de semiconducteurs à haute fiabilité et haute performance en nitrure de gallium (GaN) pour la conversion de puissance, a levé 21,5 millions de dollars dans le cadre d’un financement par placement privé.
Mouser Electronics a signé un accord de distribution mondial avec Transphorm, fabricant de transistors en nitrure de gallium (GaN) pour applications de conversion de tension. Selon cet accord, Mouser distribuera les gammes de transistors FET GaN qualifiés JEDEC et AEC-Q101 de Transphorm et les outils d’évaluation associés.
Spécialisé dans la conception et la fabrication des semiconducteurs haute tension en nitrure de gallium, Transphorm annonce son deuxième FET 900 V, le TP90H050WS Gen III qui vient enrichir l’unique gamme de produits GaN 900 V du secteur. Ces dispositifs permettent désormais aux systèmes industriels triphasés et à l’électronique automobile de tension plus élevée, de tirer parti de la vitesse, de l’efficacité et de la densité de puissance du GaN.
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