Toshiba lance une nouvelle génération de matrices de transistors

Toshiba Electronics Europe vient d’annoncer le lancement d’une nouvelle génération de matrices de transistors à haut rendement, dotées du premier driver de sortie-source de type FET DMOS du marché. Les nouveaux TBD62783A remplacent la série TD62783 de matrices de transistors bipolaires, réduisent les pertes d’environ 40%, et trouveront leur utilisation dans un large éventail d’applications, notamment le pilotage de DEL.

Toshiba va également lancer la série TBD62083A à driver FET DMOS type sortie-puits, qui succèdera à la série TD62083 de matrices de transistors bipolaires destinées aux applications de pilotage de moteurs, de relais ou de DEL.

Les demandes de clients développant des systèmes comme des alimentations ou des commandes « marche/arrêt » qui combinent des produits à sortie source et des produits à sortie puits, sont en augmentation. Avec le lancement de ces nouveaux dispositifs, Toshiba propose une matrice de transistors FET DMOS pour les deux types de sortie.

Ces nouveaux dispositifs fonctionnent sans courant de base, réduisant ainsi les courants d’entrée. Avec leur capacité d’accepter des densités de courant élevées, tout en maintenant une faible résistance à l’état passant, les dispositifs FET DMOS augmentent le rendement et garantissent de faibles pertes énergétiques.

Tous ces dispositifs supportent des tensions élevées et un courant important, avec des valeurs nominales maximum de 50V/0,5A en sortie.

Ces dispositifs sont disponibles avec différents types de boîtiers, notamment SOP18, DIP18 et SOL18 pour le montage CMS, ou encore SSOP18 (au pas de 0,65 mm) pour les applications ou l’espace est limité.

Fabricant : Toshiba

Référence : TBD62783A