Samsung lance ses premiers échantillons de mémoires HBM4E

Le Coréen a commencé à livrer les premiers échantillons de mémoires HBM4E à 12 couches du marché. Conçue pour les infrastructures d’IA de nouvelle génération, cette mémoire offre des débits jusqu’à 16 Gbit/s et une capacité atteignant 48 Go, avec des gains notables en performance et en efficacité énergétique.

Samsung Electronics débute les livraisons à ses principaux clients internationaux de ce qu’il considère comme les premiers échantillons de mémoires HBM4E à 12 couches de l’industrie. Cette nouvelle génération de mémoire à large bande passante (HBM) vient compléter la feuille de route du groupe après le lancement, plus tôt cette année, de la production en série de la HBM4.

© Samsung Electronics

Destinée aux applications d’IA et aux infrastructures hyperscale, la HBM4E répond à la hausse continue des besoins en puissance de calcul et en traitement des données. Samsung indique que cette mémoire atteint un débit de transmission stable de 14 Gbit/s, avec des performances pouvant aller jusqu’à 16 Gbit/s. Cela représente un gain supérieur à 20% par rapport à la HBM4. La bande passante peut atteindre 3,6 To/s par pile mémoire, permettant d’accélérer le fonctionnement des grands modèles de langage (LLM) et des systèmes d’IA avancés.

La version à 12 couches offre une capacité de 48 Go, soit plus de 30% de mieux que la génération précédente. Samsung prévoit également des déclinaisons de 32 Go en version 8 couches et de 64 Go en version 16 couches afin de répondre à différents besoins applicatifs.

« Après le succès de la production en série de la HBM4, Samsung a une nouvelle fois démontré son avance technologique incontestable avec la HBM4E, affirme Sang Joon Hwang, vice-président exécutif et responsable du développement mémoire chez Samsung Electronics. Le groupe continuera à soutenir la croissance du marché de la mémoire pour l’IA grâce à ses capacités de fabrication et à ses investissements industriels. »

La HBM4E s’appuie sur les technologies développées pour la HBM4, notamment le procédé Dram de sixième génération en classe 10 nm (1c) et une puce logique de base gravée en 4 nm par Samsung Foundry. Cette approche permet d’améliorer la stabilité des procédés de fabrication, les rendements industriels et les performances globales, selon le Coréen.

Samsung souligne également les progrès réalisés en matière d’efficacité énergétique et de gestion thermique grâce à l’optimisation conjointe des architectures mémoire et logique. Ces améliorations visent à répondre aux contraintes croissantes des centres de données et des accélérateurs dédiés à l’IA.

Après la phase d’évaluation et d’optimisation menée avec ses clients, Samsung prévoit de lancer la production en série de la HBM4E selon les calendriers de déploiement de ces derniers. Le groupe entend ainsi consolider sa position sur le marché des mémoires avancées en s’appuyant sur son expertise couvrant la mémoire, la fonderie, la conception logique et les technologies d’encapsulation.

Principales caractéristiques :

• Première HBM4E à 12 couches livrée sous forme d’échantillons
• Débit jusqu’à 16 Gbit/s
• Vitesse de transmission stable de 14 Gbit/s
• Bande passante pouvant atteindre 3,6 To/s
• Capacité de 48 Go en version 12 couches
• Futures versions prévues en 32 Go (8 couches) et 64 Go (16 couches)
• Plus de 20% de performances supplémentaires par rapport à la HBM4.
• Plus de 30% de capacité en plus par rapport à la génération précédente
• Basée sur une Dram de sixième génération en classe 10 nm (1c) et une puce logique 4 nm
• Amélioration de l’efficacité énergétique, des performances thermiques et des rendements de fabrication