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Tranches SiC de 150 mm : vers une demande de 1,69 million d’unités en 2025

Tranches SiC de 150 mm : vers une demande de 1,69 million d’unités en 2025

La demande annuelle de tranches SiC de 150 mmm de diamètre pour le marché des véhicules électriques devrait atteindre 1,69 million d’unités en 2025, tirée par l’essor de l’architecture de charge 800 V, selon TrendForce.

En raison de la forte demande du marché des véhicules électriques pour des autonomies plus longues et des temps de charge plus courts, la course des constructeurs automobiles vers les plateformes électriques haute tension s’est sensiblement intensifiée, divers grands constructeurs automobiles lançant progressivement des modèles dotés d’architectures de charge 800 V, tels que la Porsche Taycan, l’Audi Q6 e -tron et Hyundai Ioniq 5.

Selon le cabinet d’études taïwanais TrendForce, la demande du marché automobile mondial pour des tranches SiC de 150 mm devrait atteindre 1,69 million d’unités en 2025 grâce au taux de pénétration croissant des véhicules électriques et à la tendance vers la haute tension. L’arrivée de l’architecture de charge 800 V pour les véhicules électriques entraînera un remplacement total des modules IGBT en silicium par des dispositifs d’alimentation SiC, qui deviendront un composant standard dans les véhicules électriques de type VFD (variable frequency drives), avance TrendForce. Dans ce contexte, les grands équipementiers automobiles privilégient généralement les composants SiC. En particulier, Delphi a déjà commencé à produire en masse des onduleurs SiC 800 V, tandis que d’autres tels que BorgWarner, ZF et Vitesco progressent également rapidement avec leurs solutions respectives.

Les fournisseurs de semiconducteurs de puissance, notamment STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed et Rohm, ont commencé à collaborer avec des constructeurs automobiles et des équipementiers de rang 1 afin d’accélérer le déploiement du SiC dans les applications automobiles. Il convient de souligner que l’approvisionnement en amont de matériaux de substrat SiC deviendra le principal goulot d’étranglement de la production de dispositifs d’alimentation SiC, car les substrats SiC impliquent des processus de fabrication complexes, des barrières techniques élevées à l’entrée et une croissance épitaxiale lente, tempère TrendForce

La grande majorité des substrats SiC de type n utilisés pour les dispositifs à semiconducteurs de puissance ont un diamètre de 150 mm. Bien que les principaux fabricants tels que Wolfspeed aient bien progressé dans le développement de tranches SiC de 200 mm, il faut plus de temps non seulement pour augmenter le taux de rendement, mais aussi pour faire passer les usines de semiconducteurs de puissance des lignes de production sur tranches de 150 mm aux lignes de production sur tranches de 200 mm. Par conséquent, les substrats SiC de 150 mm de diamètre resteront probablement le format dominant pendant au moins cinq ans, avance le cabinet d’études.

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