Réseaux de transistors avec nouvelles fonctionnalités et gain de consommation de 40% | Toshiba
Toshiba Electronics Europe annonce l’ajout de 11 nouveaux produits à sa gamme de réseaux de transistors nouvelle génération, équipés de sorties FET DMOS, capables de fournir une tension et un courant élevés, jusqu’à 50V et 0,5A.
Ces nouveaux dispositifs viennent en complément des 37 produits déjà présents dans la famille TBD62xxxA, qui ont trouvé de nombreuses applications dans des domaines tels que les moteurs, les relais, les LED ou les translateurs de niveau de lignes de communication.
Ces 11 nouveaux dispositifs répondent aux besoins des clients pour davantage de méthodes et de fonctions d’entrée et de sortie. Les produits actuels sont essentiellement des produits « H-active » (High-active) dont la sortie est activée lorsque l’entrée est au niveau Haut. Toshiba propose désormais des produits « L-active » (Low-active) dont la sortie s’active lorsque l’entrée est au niveau Bas. Grâce à leur configuration drain-ouvert, les composants L-active sont adaptés aux translateurs de niveau pour les lignes de commande et de communication présentes dans les équipements industriels et les appareils électroménagers.
Toshiba présente également la série TBD62381A, qui réduit la consommation d’énergie en modifiant les caractéristiques de la série TBD62083A. La nouvelle génération de réseaux de transistors série TBD62XXX réduit la consommation d’environ 40% par rapport à la série TD62XXX.
Ces nouveaux dispositifs offrent deux types de sorties : une sortie « Source » pour alimentations à découpage et une sortie « Puits » pour commande ON / OFF. Le contrôle dynamique de matrices de LED peut être réalisé en combinant les deux types de sorties source et puits.
Cette nouvelle gamme comprend des boîtiers DIP, qui sont très populaires dans les équipements industriels ; des boîtiers SOL compatibles avec le montage en surface, et des boîtiers miniatures SSOP (au pas de 0,65 mm) qui permettent de gagner de la place dans les décodeurs.
