Driver d’IGBT / MOSFET à double sortie | Toshiba
Toshiba Electronics Europe annonce un driver de grille d’IGBT / MOSFET, doté de nombreuses fonctionnalités intégrées. Le TLP5231 simplifie le travail de conception pour un large éventail d’applications, notamment les onduleurs industriels, les alimentations sans coupure (UPS), les conditionneurs de puissance photovoltaïques, et les commandes de moteurs.
Le TLP5231 dispose de deux sorties capables de piloter les MOSFET externes Canal-P et Canal-N utilisés dans les buffers de courant. Cela permet d’utiliser un large éventail de MOSFET avec des courants nominaux différents. Cela signifie aussi que des IGBT peuvent être contrôlés par une tension de grille « rail-à-rail ». Ce driver est capable de fournir ou d’absorber jusqu’à 2,5 A de courant crête, bien qu’il soit conçu pour un courant permanent nominal de 1,0 A.
Le TLP5231 dispose d’une détection de surintensité, basée sur la détection de VCE(sat) , ainsi que d’une fonction UVLO (Under-Voltage Lock Out, ou verrouillage en cas de tension insuffisante), qui génèrent toutes deux un signal de défaut de type « collecteur ouvert » au primaire. Ces fonctions ne sont pas disponibles sur les produits existants (tels que les TLP5214 et TLP5214A) et leur présence dans le TLP5231 facilite grandement la conception des circuits de commande de grille.
En outre, le « temps de coupure graduelle de tension de grille » en cas de détection de surintensité par le biais de VCE(sat) peut être contrôlé par un autre MOSFET Canal-N externe. Les délais de propagation (Bas/Haut et Haut/Bas) ne dépassent pas 100 ns.
Bien qu’il se présente en minuscule boîtier SO16L pour montage en surface, le TLP5231 offre une tension d’isolement (BVs) de 5.000 Veff (au minimum) et une épaisseur d’isolement interne supérieure à 0,4 mm. Ses distances de fuite et d’isolement sont d’au moins 8,0 mm, ce qui en fait un bon candidat pour les applications critiques en matière de sécurité.
Fabricant : Toshiba
Référence : TLP5231
