Transistors FET 150 et 200 V en technologie GaN
Signés EPC (Efficient Power Conversion), les transistors FET 150 V et 200 V en technologie GaN des séries EPC2305 et EPC2304 présentent des résistances drain-source à l’état passant (Rds(on)) de seulement 3 mΩ et 5 mΩ, respectivement, soit des valeurs réduites de moitié par rapport aux FET en silicium.
Principales caractéristiques:
• Rds(on) : 3 mΩ pour la version 150 V (EPC2305), 5 mΩ pour la version 200 V (EPC2304)
• Valeurs de Qg, Qgd, Qoss trois fois inférieures à celles des FET en silicium
• Valeur de Qrr nulle
• Boîtier miniature PQFN (3 x 5 mm) optimisé thermiquement
• Cartes de développement de 50,8 x 50,8 mm
• Applications : conversion DC-DC, alimentations à découpage et chargeurs AC/DC, micro-onduleurs solaires, commande moteur, etc.
Fabricant: EPC (Efficient Power Conversion)
