Des amplificateurs RF de NXP rendent les stations de base 5G plus légères et compactes
Le Néerlandais a développé une série d’amplificateurs RF refroidis par le haut permettant la conception de stations de base 5G plus légères et plus compactes, sans compromis sur les performances.
© NXP Semiconductors
C’est à la réduction de la masse et du volume des stations de base 5G que NXP Semiconductors s’est attelé avec sa nouvelle série d’amplificateurs RF. Disponibles, pour le moment, en trois modèles référencés A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC et A5M36TG140-TC, ces modules RF adoptent une solution de refroidissement par le haut – une première pour un module de ce type, selon NXP – afin de réduire l’épaisseur et la masse des stations de base 5G de plus de 20 % par rapport à ce qu’autorisent ses modèles traditionnels refroidis par le bas. De quoi permettre une installation plus aisée et plus économique, tout en se fondant plus discrètement dans leur environnement.
« Le refroidissement par le haut représente une opportunité importante pour l’industrie des infrastructures sans fil, combinant des capacités de haute puissance avec des performances thermiques avancées pour permettre un sous-système RF plus petit, argumente Pierre Piel, vice-président et directeur général de la division Radio Power de NXP. Cette innovation offre une solution pour le déploiement de stations de base plus respectueuses de l’environnement, tout en permettant la densité de réseau nécessaire pour tirer pleinement parti des performances de la 5G. »
© NXP Semiconductors
A en croire le Néerlandais, les amplificateurs RF refroidis par le haut offrent des avantages significatifs en matière de conception et de fabrication, notamment la suppression du blindage RF dédié, l’utilisation d’un circuit imprimé simplifié – donc plus économique – et la séparation de la gestion thermique de la conception RF, tout en restant performants. Conçus pour les stations de base 200 W à 32 canaux de transmission et 32 canaux de réception, couvrant des fréquences de 3,3 GHz à 3,8 GHz, ces modules combinent ainsi les technologies LDMOS et GaN de NXP pour offrir un gain de 31 dB et une efficacité de 46 % sur 400 MHz de bande passante instantanée.
Les modules A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC et A5M36TG140-TC sont d’ores et déjà disponibles et pris en charge par la série de cartes de référence RapidRF de NXP.
