Infineon investit près de 35 M€ dans un centre de R&D à Taïwan
Ce centre de R&D, une première pour un acteur européen des semiconducteurs à Taïwan, sera dédié aux communications sans fil pour l’automobile.
Le 17 juin dernier, le ministère taïwanais de l’Économie a annoncé un accord signé avec Infineon Technologies pour que ce dernier ouvre un centre de R&D à Taïwan sur les semiconducteurs et communications sans fil dédiés aux applications automobiles.
Sam Geha, vice-président exécutif d’Infineon Technologies, et Kuo Jyh-huei, ministre de l’économie taïwanais – © Taian Ministry of Economic Affairs (MOEA)
Selon Kuo Jyh-huei, le ministre de l’économie taïwanais, il s’agit du premier centre de R&D de ce type implanté à Taïwan par un acteur européen des semiconducteurs. Infineon devrait investir 1,2 milliard de dollars taïwanais (près de 35 millions d’euros) dans ce projet et bénéficier d’une subvention du gouvernement local à hauteur de 480 millions de dollars taïwanais (environ 14 millions d’euros).
A l’occasion de la signature de l’accord, Sam Geha, vice-président exécutif d’Infineon en charge des activités IoT, informatiques et sans fil, s’est dit « impressionné par l’écosystème taïwanais particulièrement dynamique en matière d’innovation, grâce à ses talents hautement qualifiés en R&D et à ses clusters industriels solides », justifiant ainsi le choix de Taïwan où le groupe allemand est par ailleurs présent depuis 25 ans.
