Accord technologique entre Soitec et le japonais Resonac autour du SmartSiC
En associant les tranches de carbure de silicium monocristallin de haute qualité du Japonais à la technologie SmartSiC du Français, le duo compte rendre encore plus efficace la production de tranches de SiC de 200 mm de diamètre.
Le groupe japonais Resonac (anciennement Showa Denko) et Soitec viennent de signer un accord dont l’objectif consiste à développer des tranches de carbure de silicium (SiC) de 200 mm de diamètre exploitant la technologie SmartSiC du Français et utilisant les substrats et les procédés d’épitaxie de Resonac. Une étape que Soitec considère comme majeure pour le déploiement de sa technologie de carbure de silicium à haut rendement au Japon et sur d’autres marchés internationaux.
© Soitec
« Le carbure de silicium est en train d’être adopté pour les applications industrielles et les véhicules électriques, où il apporte un avantage significatif en termes de coût. Mais pour accélérer cette adoption, le rendement et la productivité du carbure de silicium doivent être améliorés. L’association des matériaux SiC de première qualité de Resonac à la technologie SmartSiC en 200 mm de Soitec, unique en son genre, favorisera la disponibilité en volume de substrats ‘epi-ready’ d’une qualité inégalée. La combinaison de nos technologies et produits respectifs permettra d’optimiser ces substrats en utilisant l’épitaxie de haute qualité de Resonac », explique Christophe Maleville, directeur général adjoint en charge de la Technologie et de l’Innovation chez Soitec.
De son côté, Makoto Takeda, directeur général de la division Device Solutions de Resonac, voit dans cet accord « l’opportunité d’associer les plaques de carbure de silicium monocristallin de haute qualité de Resonac à la technologie SmartSiC unique de Soitec pour rendre encore plus efficace la production de plaques de SiC de 200 mm, tout en diversifiant la chaîne d’approvisionnement en epi-wafers. »
Rappelons que la technologie brevetée SmartSiC, dont Soitec a inauguré l’usine en septembre 2023, permet d’améliorer les performances des dispositifs d’électronique de puissance et d’augmenter les rendements de fabrication. Basée sur le procédé SmartCut, elle consiste à lier une très fine couche de SiC monocristallin (mono-SiC) de haute qualité sur une tranche polycristalline (poly-SiC) à faible résistivité. Le procédé permet de réutiliser plusieurs fois la tranche donneuse en mono-SiC, ce qui réduit significativement les coûts et la consommation d’énergie nécessaires à la fabrication des wafers.
