Antaios, pionnier de la mémoire SOT-MRAM, lève 11 millions de dollars

La start-up grenobloise Antaios, pionnière de la mémoire SOT-MRAM (Spin-Orbit Torque Magnetic Random-Access Memory), annonce avoir obtenu 11 millions de dollars de financement pour accélérer son développement et mettre en place de nouveaux partenariats stratégiques. L’ambition d’Antaios est de déployer la mémoire SOT-MRAM dans les puces électroniques, afin d’en faire ainsi un standard, quasiment une mémoire universelle.

L’investissement provient de fonds technologiques spécialisés sur l’identification et la promotion d’entreprises technologiques à très fort potentiel et en phase d’amorçage. Il est mené par les sociétés de capital-risque françaises, Innovacom et Sofimac Innovation, en collaboration avec Applied Ventures, branche de capital-risque de l’américain Applied Materials, le leader mondial des équipements pour la fabrication des semiconducteurs.  Des financements complémentaires proviennent également de Bpifrance et de banques partenaires.

« Ce financement est une étape clé pour Antaios. Il affirme la valeur de notre technologie et l’intérêt de l’industrie pour la mémoire SOT qui représente la nouvelle génération de mémoires MRAM, qui résout les limites des technologies actuelles. Nous sommes fiers d’avoir attiré une équipe d’investisseurs financiers et industriels de qualité, qui nous apportent non seulement des moyens financiers, mais aussi une bonne connaissance de l’écosystème. Nous sommes impatients de collaborer avec des partenaires clés du domaine pour mettre la technologie sur le marché », a déclaré Jean-Pierre Nozières, p-dg d’Antaios.

« Applied Ventures soutient le développement de technologies de mémoires embarquées comme la MRAM, qui offrent une consommation réduite avec des performances et une endurance élevées, pour l’Internet des objets et l’intelligence artificielle. Nous sommes ravis d’investir dans Antaios et sommes impatients d’aider l’entreprise à développer sa technologie prometteuse », souligne Michael Stewart, directeur des investissements chez Applied Ventures.

En permettant simultanément une vitesse de fonctionnement élevée et un nombre de cycles de lecture et d’écriture infini, la technologie SOT a le potentiel pour remplacer à la fois la mémoire non volatile embarquée (aujourd’hui la mémoire NOR-Flash) et la mémoire cache intégrée (SRAM), dans les microcontrôleurs, les microprocesseurs et les circuits SoC (System on Chip). La mémoire SOT est aujourd’hui reconnue comme la technologie MRAM de nouvelle génération, après la MRAM STT (Spin-Transfer-Torque), qui monte actuellement en puissance dans toutes les grandes fonderies de semiconducteurs. La MRAM SOT peut être facilement implémentée sur les lignes de fabrication existantes des MRAM STT, assurant ainsi un déploiement rapide sur le marché, dans des applications aussi diverses que l’Internet des objets (IoT), les applications mobiles, l’informatique et le stockage de masse, explique la start-up.

Fondée en 2017 et basée à Grenoble (France), Antaios est le pionnier de la SOT-MRAM (Spin-Orbit Torque Magnetic Random-Access Memory), une technologie de mémoire disruptive. S’appuyant sur une décennie de recherche au laboratoire Spintec, l’un des leaders mondiaux de la recherche académique sur la spintronique, Antaios est pleinement engagée dans la mise sur le marché de la technologie SOT pour aider les fabricants de composants à résoudre le problème critique de l’explosion de la puissance consommée dans les systèmes à base de semiconducteurs.