GaN : Renesas augmente sa cadence de production
Face à l’explosion de la demande en électronique de puissance, Renesas déploie de nouveaux systèmes MOCVD d’Aixtron, déjà opérationnels, pour accélérer la montée en cadence de sa production de semi-conducteurs GaN.
Le groupe allemand Aixtron annonce avoir livré à Renesas plusieurs systèmes MOCVD de la gamme Planetary G5+C, destinés à renforcer significativement la capacité de production du Japonais en nitrure de gallium (GaN). D’ores et déjà pleinement opérationnels chez Renesas, ces équipements, compatibles avec des tranches de 150 mm et 200 mm (6 et 8 pouces), sont optimisés pour un débit élevé et une grande uniformité, deux critères déterminants en environnement industriel à fort volume.
© Aixtron
Depuis le rachat de Transphorm en juin 2024, Renesas a considérablement accéléré son déploiement de la technologie GaN dans des secteurs à forte croissance : électromobilité, IoT, infrastructures de recharge rapide, alimentation des centres de données dédiés à l’IA, énergies renouvelables et applications industrielles. La technologie GaN s’installe de plus en plus dans ces domaines pour sa capacité à assurer une conversion de puissance efficace et compacte à grande échelle.
Cette collaboration s’inscrit dans une relation établie de longue date. « Le GaN est l’un des segments à la croissance la plus rapide de notre industrie et devient un moteur de croissance essentiel pour notre activité électronique de puissance, assure Rohan Samsi, vice-président de la division GaN du Power Product Group de Renesas. Nous sommes ravis de capitaliser sur la plateforme éprouvée Planetary d’Aixtron, initialement présentée à Transphorm, et d’accroître aujourd’hui notre capacité de production en matière de GaN grâce à des équipements supplémentaires fournis par notre partenaire. »
Cette commande illustre en tout cas l’engagement fort de Renesas envers la production de semi-conducteurs GaN à grande échelle, appelés à jouer un rôle central dans la transition énergétique et la numérisation des infrastructures industrielles.
