MOSFET de puissance 40V et 60V | Toshiba
Toshiba Electronics Europe annonce la commercialisation de MOSFET de puissance 40V et 60V, basés sur le dernier procédé semiconducteur « Trench », U-MOS-IX-H, de la société.
Les MOSFET canal-N, TK3R1P04PL, TK4R4P06PL et TK6R7P06PL, peuvent être pilotés par des niveaux logiques 4,5V et présentent des valeurs de résistance à l’état passant (RDS(ON)) maximum ultra-faibles, pouvant descendre à 3,1 mΩ (à VGS = 10V). Fournis en boîtier DPAK, ces dispositifs sont destinés aux applications de conversion d’énergie haut-rendement, notamment les convertisseurs CA-CC ou CC-CC, les alimentations et les commandes moteur.
Le TK3R1P04PL est un MOSFET 40V avec une RDS(ON) maximum de 3,1 mΩ et un courant de drain (ID) maximum de 58A (à 25ºC). Les TK4R4P06PL et TK6R7P06PL 60V ont des valeurs RDS(ON) et ID maximum de respectivement 4,4 mΩ et 58A, et 6,7 mΩ et 46A.
Tous ces nouveaux MOSFET sont conçus pour fonctionner avec une faible charge en sortie, afin d’optimiser encore le rendement et les performances.
Fabricant : Toshiba
Référence : TK3R1P04PL, TK4R4P06PL et TK6R7P06PL
