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Premiers commutateurs ohmiques RF à douze voies en technologie MEMS

Premiers commutateurs ohmiques RF à douze voies en technologie MEMS

Le Français DelfMEMS, spécialisé dans le développement de composants radiofréquences en technologie MEMS, exposera lors du Mobile World Congress (MWC) 2015 ce qu’il considère comme les premiers commutateurs ohmiques à douze voies réalisés en technologie MEMS.

delf1002Les commutateurs SP12T fabriqués grâce à la technologie MEMS FreeFlex permettront l’obtention des performances requises par les futures générations de téléphones portables utilisant le standard 4G LTE-Advanced.
« Jusqu’à aujourd’hui, les industriels du domaine se sont orientés sur la voie des commutateurs capacitifs. Nous avons, quant à nous, choisi le chemin plus compliqué des commutateurs ohmiques pour leurs meilleures performances et nous sommes parvenus à en créer la toute première version fonctionnelle au monde. C’est une étape clé pour l’entreprise ; nous avons déjà signé plusieurs contrats et d’autres sont à venir. Nous anticipons nos premières livraisons pour la deuxième moitié de 2016 », commente Cybèle Rolland, présidente et directrice générale de DelfMEMS.

Les commutateurs RF en technologie MEMS sont connus depuis des années comme étant une excellente solution potentielle pour l’amélioration des performances RF des téléphones portables. Ils ont cependant eu un succès limité de par leur coût et des problèmes de fiabilité.

L’avantage offert par la solution de commutation RF de DelfMEMS est la possibilité de fournir les performances nécessaires aux futures générations de téléphones portables utilisant les standards 4G LTE-A et futurs. Ces performances incluent des pertes d’insertion extrêmement basses, une très forte isolation et une linéarité exceptionnellement haute afin de permettre une agrégation de porteuses en liaison montante.

« Les niveaux de performance des premiers exemplaires de commutateurs SP12T montrés au MWC sont comparables à ceux des solutions actuellement sur le marché. Ces niveaux seront cependant significativement plus élevés pour les composants en production, permettant l’atteinte totale du potentiel du standard 4G LTE-A pour la transmission de données à la fois montante et descendante », assure la dirigeante.

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