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Samsung finalise sa technologie RF en 8 nm pour mieux cibler la 5G

Samsung finalise sa technologie RF en 8 nm pour mieux cibler la 5G

Le procédé 8 nm développé par Samsung pour produire ses puces RF à destination de la 5G augmente de 35% le rendement énergétique par rapport au précédé 14 nm et réduit la surface des composants de 35%.

Samsung Electronics annonce avoir finalisé le développement d’un procédé de fabrication en 8 nm pour ses puces RF destinées à la 5G dans les bandes sub-6GHz et mmWave. L’idée étant de pouvoir fabriquer des solutions à une puce (one chip solution) supportant des conceptions à canaux et antennes multiples.

« A l’heure où la 5G sur la bande mmWave se développe, le procédé 8 nm pour puces RF de Samsung contribuera à produire des composants améliorant encore la qualité de signal et la durée de vie des batteries d’appareils mobiles compacts haut de gamme », précise Hyung Jin Lee, responsable de l’équipe en charge du développement des technologies de fonderie chez Samsung Electronics.

Ce procédé 8 nm vient ainsi compléter les procédés RF dont le Coréen dispose déjà en 14 et 28 nm, lui qui affirme avoir déjà produit plus de 500 millions de puces RF pour applications mobiles haut de gamme depuis 2017.

Un procédé nommé RFeFET

Alors que la course à la finesse des procédés de gravure continue pour les composants numériques (IBM a récemment dévoilé une puce fabriquée en procédé 2 nm), l’avancée est beaucoup plus lente du côté des composants analogiques et RF du fait d’éléments dégénératifs tels que l’augmentation de la résistance au fur et à mesure que la largeur de gravure diminue. Avec pour conséquence une dégradation des performances RF en termes d’amplification et de réception, sans compter un accroissement de la consommation énergétique.

Pour lever ces obstacles, le coréen a développé un procédé 8 nm RF spécifique nommé RFeFET (RFextremeFET) qui accroît de 35% le rendement énergétique et réduit de 35% la surface des puces RF, tout en améliorant les performances puisque l’architecture RFeFET maximise la mobilité électronique des canaux et minimise les résistances parasites.

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