SK Hynix empile 321 couches dans une mémoire flash Nand, mais pas seulement…
Échantillonnage des premières mémoires flash Nand à plus de 300 couches, lancement de la production de volume des premières Dram LPDDR5X de 24 Go, échantillonnage de mémoires large bande pour l’IA : SK Hynix ne lésine pas sur les moyens en termes d’innovations.
En cette fin d’été, SK Hynix est vraiment sur tous les fronts en termes d’innovations. Tout d’abord avec cette question : mais où s’arrêtera donc le Coréen dans l’empilement des couches de cellules dans ses mémoires flash Nand ? Après le lancement en juin dernier de la production de volume de mémoires Nand à 238 couches, le Coréen a présenté il y a peu un échantillon d’une puce Nand ne contenant pas moins de 321 couches de cellules empilées, dépassant pour la première fois la barre des 300 couches.
© SK Hynix
Utilisant une architecture dite TLC (Triple-Level Cell) à 3 bits par cellule, cette Nand 1 To à 321 couches présente un rendement de fabrication amélioré de 59 % par rapport à la mémoire 512 Go à 238 couches actuellement en production.
« Avec l’introduction de Nand hautes performances et haute capacité à plus de 300 couches, qui constituent la cinquième génération de Nand 4D, nous nous efforcerons de répondre aux exigences de l’IA et de continuer à être à la pointe de l’innovation », assure Jungdal Choi, responsable du développement des mémoires Nand chez SK Hynix.
La production de volume ne devrait toutefois pas débuter avant le premier semestre 2025.
Du côté des Dram cette fois, SK Hynix ne s’est pas non plus reposé sur ses lauriers ces dernières semaines avec le lancement de la production de volume des premières Dram LPDDR5X de 24 Go, qui font suite aux modèles de 16 Go dont la production de volume avait débuté en novembre 2022. Outre leur capacité augmentée de 50%, elles conservent les caractéristiques des mémoires LPDDR5X en termes de vitesse de transfert (jusqu’à 68 Go/s, de quoi transférer en une seconde 13 films en définition Full-HD) et de fonctionnement très basse tension (entre 1,01 V et 1,12 V, telle que définie par le Jedec).
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Cette Dram LPDDR5X de 24 Go équipe déjà le dernier smartphone d’Oppo, le Oneplus Ace 2 Pro, mais l’ambition de SK Hynix est plus large. « Au delà des applications mobiles, nos mémoires LPDDR seront capables de prendre en charge une liste croissante d’applications telles que les PC, les serveurs, le calcul haute performance (HPC) et les véhicules automobiles », affirme ainsi Myoungsoo Park, vice-président et directeur du marketing des Dram chez SK Hynix.
Enfin, SK Hynix a lancé fin août l’échantillonnage d’une mémoire large bande (HBM, High Bandwidth Memory) de cinquième génération pour les applications d’IA. Actuellement en cours d’évaluation chez un client de SK Hynix, cette mémoire dite HBM3E, qui interconnecte verticalement plusieurs puces Dram pour augmenter la vitesse de traitement des données, peut traiter jusqu’à 1,15 To/s, ce qui équivaut au traitement de plus de 230 films Full HD de 5 Go chacun en une seconde.
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A cela s’ajoutent une amélioration de 10 % de la dissipation thermique grâce à l’adoption de la technologie MR-MUF2 (Advanced Mass Reflow Molded Underfill) qui consiste à remplir les interstices entre puces avec un liquide spécifique, ainsi qu’une rétrocompatibilité avec les modèles HBM3 de génération précédente sans modification de conception ou de structure.
La production de volume des mémoires HBM3E est prévue à partir du premier semestre 2024.
