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Mitsubishi et Coherent s’allient pour une fabrication à grande échelle de circuits puissance SiC sur tranches de 200 mm

Mitsubishi Electric, qui va investir 1,5 milliard de dollars d’ici mars 2026 dans la filière SiC et l’Américain Coherent (anciennement II-VI Incorporated), un leader mondial des matériaux, des réseaux et des lasers, ont annoncé la signature d’un protocole d’accord (MOU) pour collaborer à un programme de fabrication à grande échelle de semiconducteurs de puissance en carbure de silicium sur une plateforme technologique en 200 mm.

Mitsubishi investit près de 2 milliards de dollars dans le SiC

Le groupe japonais Mitsubishi Electric annonce son intention de doubler son plan d’investissement initial de 5 ans dans le carbure de silicium pour le porter à environ 260 milliards de yens, soit 1,94 milliard de dollars, d’ici mars 2026. Une grande partie des dépenses concernera la construction d’une fab sur tranches de 200 mm de diamètre afin d’augmenter sa production de semiconducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC).

Mitsubishi abandonne les modules LCD au profit des semiconducteurs de puissance

Mitsubishi Electric annonce coup sur coup l’acquisition auprès de Sharp de locaux pour fabriquer des semiconducteurs de puissance, ainsi que l’abandon en juin 2022 la production d’écrans TFT-LCD dont les ressources seront dirigées notamment vers les composants de puissance.
 
Mitsubishi va ainsi acquérir des bâtiments et des terrains appartenant à Sharp Fukuyama Semiconductor, une filiale en propriété exclusive de Sharp située à Fukuyama, dans la préfecture d’Hiroshima, au Japon. Les propriétés acquises serviront de nouveau site où le groupe japonais traitera des tranches pour la fabrication de semiconducteurs de puissance. De nouvelles installations de production, dont le démarrage est prévu en novembre de l’année prochaine, permettront ainsi à Mitsubishi Electric d’étendre son activité de dispositifs d’alimentation.

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