Toshiba développe une flash NAND à 16 puces empilées, en technologie TSV
Toshiba a annoncé le 10 août le développement de la première mémoire Flash NAND à 16 puces empilées (maxi) au monde utilisant la technologie TSV (Through Silicon Via, ou traversées silicium). Jusqu’ici les mémoires flash NAND empilées étaient interconnectées par « wire bonding » (liaisons à fil classiques) à l’intérieur d’un boîtier. Au lieu de cela, la technologie TSV fait appel à des électrodes verticales et à des vias à travers les puces de silicium pour la connexion. Ceci autorise des entrées-sorties très rapides, tout en réduisant la consommation.
La technologie TSV de Toshiba permet d’obtenir un débit d’E/S supérieure à 1 Gbits/s, soit plus que n’importe quelle autre mémoire flash NAND basse tension : 1,8V pour les circuits du coeur et 1,2V pour les circuits E/S, et environ 50% de consommation en moins pour les opérations d’écriture et de lecture, et les transferts E/S de données, assure le fabricant japonais.
Cette mémoire flash NAND constitue une solution idéale au niveau faible latence, bande passante et rapport IOPS/Watt élevé, pour les applications de stockage flash, notamment les disques SSD haut-de-gamme d’entreprise.
