Un transistor HEMT 100 V délivre 3600 W pour l’avionique et la défense

Œuvre du Californien Integra Technologies, l’IGN1011S3600 est un transistor à haute mobilité électronique de 100 V en technologie GaN sur SiC capable de fournir plus de 3600 W dans la bande L des systèmes d’identification et de surveillance aériens.

Integra Technologies frappe un grand coup dans le domaine des transistors RF de puissance avec l’IGN1011S3600, un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) de 100 V en technologie nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN/SiC) fonctionnant dans la plage de fréquence 1030-1090 MHz et capable de fournir une puissance maximale de plus de 3,6 kW avec un gain de 19 dB et un rendement de 70%.

Les transistors HEMT du Californien sont destinés aux applications avioniques et militaires critiques, notamment les systèmes IFF d’identification ami ou ennemi (identification friend or foe) et SSR de radars secondaires de surveillance (secondary surveillance radar) de dernière génération qui fonctionnent dans la bande L et nécessitent des puissances RF élevées.

En fournissant approximativement deux fois plus de puissance qu’un transistor GaN 50 V dans un seul boîtier, la technologie d’Integra devrait permettre de simplifier les architectures systèmes en réduisant le nombre de composants, et ainsi de satisfaire les exigences des systèmes qui nécessitent des améliorations en termes de taille, de poids, de puissance et de coût (SWaP-C, size, weight, power and cost).

« Notre technologie va redéfinir complètement ce qui est possible pour les systèmes RF haute puissance car elle supprime les barrières limitant les performances des systèmes d’aujourd’hui et permet de nouvelles architectures jusqu’alors impossibles, affirme Suja Ramnath, présidente-directrice générale d’Integra. Une nouvelle génération d’alimentations RF plus performantes et moins onéreuses verra ainsi le jour. »

Des échantillons de l’IGN1011S3600 sont d’ores et déjà disponibles.