Vishay introduit la quatrième génération de ses Mosfet 600 V
La dernière génération des Mosfet série E de l’Américain affiche une résistance à l’état passant réduite de 27% et une charge de grille abaissée de 60% par rapport à la précédente génération.
Vishay commercialise la quatrième génération de ses Mosfet 600V avec un modèle référencé SiHK045N60E qui se caractérise par une résistance à l’état passant typique de 43 mΩ sous 10 V et une charge de grille de 65 nC, ce qui correspond à des réductions respectives de 27% et 60% par rapport aux valeurs de la précédente génération de Mosfet de l’Américain.
Au global, le facteur de mérite de ce composant s’établit à 2,8 Ω.nC, soit une valeur qui fait désormais figure de référence sur le marché, à en croire Vishay, puisqu’elle s’avère inférieure de 3,4% à celle de son plus proche concurrent pour cette classe de Mosfet.
Vishay a également soigné la résistance thermique de son composant encapsulé en boîtier PowerPAK de 10 x 12 mm, avec une valeur de seulement 0,45 °C/W, soit près de 12% de moins que le composant concurrent le plus proche.
Avec ce Mosfet, Vishay vise les premiers étages des systèmes de puissance nécessitant des rendements et des densités de puissance élevés, utilisés dans les télécoms, les serveurs et les centres de données, en particulier les topologies de correction de facteur de puissance et de conversion AC/DC.
