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X-FAB double sa capacité de fonderie en technologie SiC sur tranches 150 mm

X-FAB double sa capacité de fonderie en technologie SiC sur tranches 150 mm

X-FAB Silicon Foundries, fondeur spécialisé dans les circuits analogiques et mixtes et les technologies de spécialités, annonce un doublement de ses capacités de production en circuits réalisés en technologie SiC (carbure de silicium) sur tranches de 150 mm de diamètre.

Ces circuits de puissance sont produits dans l’usine du fondeur à Lubbock, au Texas. X-FAB a acquis un second implanteur ionique qui sera installé sur le site à la fin de l’année pour une mise en production au 1er trimestre 2019.

X-FAB revendique avoir été le premier fondeur à proposer un service de production en technologie SiC sur tranches de 150 mm de diamètre. En préparant un doublement de ces capacités de production dans ce domaine, X-FAB conserve ainsi son avance sur la concurrence. Les produits fabriqués par le fondeur en technologie SiC sont typiquement des semiconducteurs de puissance à haute efficacité énergétique, tels des MOSFETs de puissance, des JFETs et des diodes Schottky.

X-FAB fabrique des circuits intégrés analogiques et des mems dans six sites de production en Allemagne, en France (ex-Altis), en Malaisie et aux États-Unis.

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