Les Mosfet SiC de Toshiba grimpent à 2200 V pour les onduleurs à deux niveaux
Le module 2200 V à double Mosfet SiC signé Toshiba permet de troquer les onduleurs à trois niveaux...
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Posté par Pascal Coutance | 13 Sep 2023 | COMPOSANT, INDUSTRIEL/ÉNERGIE, MT, SEMICONDUCTEUR, TECHNO
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