Rohm introduit des Mosfet SiC plus efficaces à haute température
Le Japonais dévoile sa cinquième génération de Mosfet SiC dont la résistance drain-source à...
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Posté par Pascal Coutance | 22 Avr 2026 | AUTOMOBILE/TRANSPORTS, COMPOSANT, INDUSTRIEL/ÉNERGIE, INFORMATIQUE/DATA, SEMICONDUCTEUR, TECHNO
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En savoir plusPosté par Pascal Coutance | 22 Avr 2026 | - ÉCO -, - UNE -, 7/7, AUTOMOBILE/TRANSPORTS, ÉTATS-UNIS, EUROPE, INVESTISSEMENT, SEMICONDUCTEUR, STRATÉGIE
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