ST met le paquet dans le SiC en créant une co-entreprise de 3,2 milliards en Chine
STMicroelectronics et Sanan Optoelectronics, un leader sur le marché des semiconducteurs composés en Chine qui propose des produits LED, SiC, communications optiques, RF, filtres et GaN, annoncent la signature d’un accord portant sur la création d’une nouvelle co-entreprise de fabrication de composants en carbure de silicium sur tranches 200 mm de diamètre à Chongqing en Chine. La co-entreprise fabriquera des composants SiC exclusivement pour STMicroelectronics, en utilisant la technologie propriétaire de ST pour les procédés de fabrication SiC. Elle servira de fonderie dédiée à ST pour répondre à la demande de ses clients chinois.
Cette nouvelle usine de carbure de silicium vise un démarrage de la production au quatrième trimestre 2025 avec une pleine capacité anticipée en 2028 afin de soutenir la demande croissante en Chine pour l’électrification automobile ainsi que pour les applications d’énergie et de puissance pour l’industriel.
Parallèlement, Sanan Optoelectronics construira et exploitera séparément une nouvelle unité de production de substrats SiC de 200 mm de diamètre afin de répondre aux besoins de la co-entreprise, en utilisant sa propre technologie de fabrication de substrats en carbure de silicium.
Le montant total nécessaire pour atteindre la pleine capacité de la co-entreprise devrait s’élever à environ 3,2 milliards de dollars, dont des dépenses d’investissement (capex) d’environ 2,4 milliards de dollars au cours des cinq prochaines années. Ce montant sera financé par des contributions de STMicroelectronics et Sanan Optoelectronics, par un soutien du gouvernement local en Chine ainsi que par des prêts accordés à la co-entreprise.
« La Chine évolue rapidement vers l’électrification dans les secteurs automobile et industriel et c’est un marché où ST est déjà solidement établi avec de nombreux programmes engagés avec des clients. La création d’une fonderie dédiée avec un partenaire local clé représente le moyen le plus efficace de satisfaire la demande croissante de nos clients chinois. La combinaison de la future unité de production de substrats en 200 mm de Sanan Optoelectronics, avec l’unité ‘front-end’ de la co-entreprise et le site ‘back-end’ dont dispose déjà ST à Shenzhen en Chine permettra à ST d’offrir à ses clients chinois une chaîne de valeur complètement intégrée verticalement pour le carbure de silicium », a déclaré Jean-Marc Chéry.
ST vise 5 milliards de dollars de CA dans le SiC d’ici 2030
Et le président du directoire et directeur général de STMicroelectronics de poursuivre : « C’est une étape importante pour accroître encore davantage nos opérations globales de production de SiC qui vient s’ajouter aux investissements significatifs que nous poursuivons en Italie et à Singapour. Cette co-entreprise devrait être un des éléments nous permettant de saisir l’opportunité d’atteindre un chiffre d’affaires d’au moins 5 milliards de dollars pour le SiC d’ici 2030. Cette initiative est cohérente avec l’ambition de ST d’atteindre un chiffre d’affaires de 20 milliards de dollars et au-delà d’ici 2025-2027 et avec le modèle financier associé précédemment communiqués aux marchés financiers. »
« La création de cette co-entreprise représentera une force motrice majeure pour l’adoption à grande échelle des composants en SiC sur le marché chinoisEn tant que société internationale et reconnue de services de fonderie SiC de grande qualité, Sanan fournira également ses substrats SiC à cette nouvelle co-entreprise, en construisant une nouvelle usine dédiée aux substrats SiC. C’est une étape importante pour les ambitions de Sanan Optoelectronics en tant que fonderie SiC», a déclaré pour sa part Simon Lin, CEO de Sanan Optoelectronics.
Sanan Optoelectronics est présent dans la recherche, le développement et la fabrication d’un large éventail de semiconducteurs composés dont les produits SiC, GaN, LEDs à spectre visible complet, communications optiques, RF, filtres, infrarouges et UV. La société déclare disposer actuellement de la plus importante capacité de fonderie de semiconducteurs composés en Chine. www.sanan-e.com
La finalisation de ce projet est soumise à l’obtention des autorisations règlementaires.
