EPC lance des FET 200V durcis en nitrure de gallium

Très compacts, les transistors GaN 200 V du Californien référencés EPC7007 présentent un facteur de mérite 50 fois plus important que les meilleurs composants durcis en silicium de même catégorie, pour les applications spatiales

Efficient Power Conversion (EPC) élargit son offre en transistors GaN (nitrure de gallium) durcis pour environnement spatial avec un modèle de 200 V/20 A (80 A crête) référencé EPC7007. Exploitant le procédé eGaN du Californien, ce composant affiche une faible résistance drain-source à l’état passant Rds(on) (25 mΩ) et un encombrement de seulement 3,6 x 1,6 mm, ce qui ne l’empêche pas de résister à une dose d’ionisation totale (TID) absorbée supérieure à 1 Mrad et de supporter les effets d’une particule isolée (SEE, Single Event Effects) avec un transfert d’énergie linéaire (LET, Linear Energy Transfer) maximum de 85 MeV/mg/cm2.

Par rapport au silicium, la technologie GaN permet ainsi d’obtenir des fréquences de commutation, des densités de puissance et des rendements plus élevés, avec des circuits plus compacts et plus légers pour les missions spatiales critiques, le GaN prenant également en charge des niveaux de TID et de SEE plus élevés que leurs équivalents en silicium.

« L’EPC7007 offre aux concepteurs une solution avec un facteur de mérite – produit de la résistance drain-source à l’état passant par la charge grille-drain – 50 fois plus important que les meilleurs composants durcis en silicium de même catégorie », souligne ainsi Alex Lidow, Pdg et cofondateur d’EPC.

Les applications bénéficiant des performances et du déploiement rapide de l’EPC7007 comprennent les alimentations DC-DC, les systèmes d’entraînements, les lidars, les sondes et les propulseurs pour les applications spatiales, les satellites et l’avionique.

L’EPC7007 est actuellement disponible pour échantillonnage et sera entièrement qualifié pour la production de volume en décembre 2022.