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Infineon enrichit sa gamme d’IGBT discrets pour l’automobile avec des modèles 750 V en boîtier TO247Plus

Infineon enrichit sa gamme d’IGBT discrets pour l’automobile avec des modèles 750 V en boîtier TO247Plus

Optimisés pour les onduleurs utilisés dans les chaînes de traction des véhicules électriques, ces IGBT peuvent gérer un courant nominal jusqu’à 200 A tout en réduisant leurs pertes de conduction de 13%.

Infineon Technologies enrichit sa gamme d’IGBT discrets haute tension pour applications automobiles avec des modèles de 750 V encapsulés en boîtier TO247Plus et optimisés pour les onduleurs utilisés dans les chaînes de traction des véhicules électriques.

Conformes à la norme AECQ101, ces IGBT utilisent la technologie EDT2 (Electric Drive Train) récemment introduite par Infineon dans ses modules de puissance EasyPACK 2B EDT2 et HybridPACK et qui se caractérise par un rendement amélioré dans des conditions de faible charge et donc des pertes de commutation et de conduction réduites par rapport aux solution existantes.

Résistants aux courts-circuits, ils prennent en charge des tensions de batterie allant jusqu’à 470 Vdc avec des courant nominaux de 120 A (modèle référencé AIKQ120N75CP2) ou de 200 A (AIKQ200N75CP2) à 100°C, avec de très faibles tensions directes, réduisant les pertes de conduction jusqu’à 13 % par rapport à la génération précédente.

Avec un courant nominal de 200 A, l’AIKQ200N75CP2 est également présenté comme l’IGBT discret le plus performant de sa catégorie en boîtier TO247Plus. Ainsi, pour une classe de puissance définie, moins de composants sont nécessaires, réduisant de fait le coût global du système.

Par ailleurs, les IGBT en technologie EDT2 d’Infineon présentent une distribution de paramètres très étroite. La différence de tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) entre les valeurs typiques et maximales est ainsi inférieure à 200 mV et la différence de tension seuil de grille (V GEth) est inférieure à 750 mV. De plus, le coefficient thermique est positif. Tout ceci concourt à un fonctionnement en parallèle plus aisé, offrant ainsi une plus grande flexibilité de conception du système et une évolutivité de la puissance prise en charge.

La température de jonction de ces IGBT peut atteindre 175 ° C.

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