Nexperia modélise le comportement de ses Mosfet sur toute leur plage de température

Des modèles avancés de Nexperia permettent de simuler le comportement de ses Mosfet pour évaluer avec précision leurs performances électriques, thermiques et CEM avant même de s’engager dans la fabrication d’un prototype.

C’est suite à la demande d’un équipementier de rang un que Nexperia a développé des modèles électrothermiques avancés permettant de simuler le comportement de ses Mosfet sur l’ensemble de leur plage de température de fonctionnement, en l’occurrence de -55 °C à 175 °C. Il s’agit d’outils inédits, selon Nexpéria, dans la mesure où les fabricants de semi-conducteurs fournissent des modèles de simulation de leurs Mosfet qui n’incluent généralement qu’un nombre limité de paramètres et sont fournis uniquement pour des températures de fonctionnement typiques.

Ce faisant, les modèles électrothermiques avancés de Nexperia, désormais disponibles pour tous, permettent aux ingénieurs de créer des simulations précises au niveau du circuit et du système et d’évaluer leurs performances électriques, thermiques et CEM avant même de s’engager dans la fabrication d’un prototype. Et la précision globale est d’autant meilleure que les modèles incluent le temps de récupération de la diode inverse ainsi que des performances de compatibilité électromagnétique (CEM) du dispositif. Ces modèles permettent également d’économiser du temps et des ressources, les ingénieurs pouvant désormais simuler leurs conceptions sur des plages de température spécifiques.