Renesas Electronics élargit sa gamme de microcontrôleurs de la famille RE avec un nouveau groupe de composant à très faible consommation d’énergie. Ces composants sont basés sur le processus propriétaire silicium sur oxyde enterré (SOTB) et il embarque un cœur Arm Cortex-M0+.

De plus, ce nouveau groupe de la gamme RE01 est une variante possédant une mémoire flash de 256 kilo-octets (KB). Il vient donc compléter le groupe de microcontrôleur embarquant une mémoire flash de 1,5 méga-octets (MB) qui est déjà en production de masse. Doté d’un boîtier WLBGA de 3,16 mm × 2,88 mm, ce groupe est optimisé pour une utilisation dans les dispositifs IoT les plus compacts. Il cible de nombreuses applications utilisant des capteurs, comme les maisons intelligentes, les bâtiments intelligents, la détection environnementale, la surveillance des structures, les dispositifs de suivi et les dispositifs portables.

Ce groupe de microcontrôleurs a reçu la note de 705 pour son efficacité énergétique de premier ordre, ce qui lui a valu d’être certifié par l’EEMBC ULPMark-CoreProfile (CP). Ce score élevé a été obtenu grâce à l’utilisation du processus technologique SOTB exclusive à Renesas, qui permet une réduction extrême de la consommation de courant en mode actif et en mode veille.

Le nouveau groupe de microcontrôleur ne consomme que 25 μA/MHz en mode actif et 400 nA en mode veille, ce qui le place parmi les leaders mondiaux en matière de consommation de courant ultra-faible. Les clients peuvent encore réduire la consommation de courant en mode actif à 12 μA/MHz en utilisant l’ISL9123 ultra-faible Iq de Renesas comme régulateur abaisseur externe.

Avec une consommation électrique ultra-faible, les microcontrôleurs (MCU) de la famille RE peuvent prolonger considérablement la durée de vie des batteries des appareils intégrés. Ils sont également capables de fonctionner à haute fréquence dans des applications qui nécessitent du traitement de données en temps réel provenant de plusieurs capteurs, même lorsqu’ils sont alimentés par des batteries compactes à très faible courant ou par des dispositifs de collecte d’énergie. Les MCU de la famille RE actuellement disponibles avec 1,5 Mo de mémoire flash sont particulièrement adaptés aux applications nécessitant une grande capacité de mémoire, telles que le traitement de données d’images ou la mise à jour de micrologiciels par communication sans fil. De leur côté, les nouveaux MCU RE01 256ko conviennent pour les appareils compacts et pour les dispositifs IoT de contrôle utilisant des capteurs.

Principales caractéristiques du nouveau groupe de MCU RE01 R7F0E01182xxx :

  • Cœur Arm Cortex-M0+ avec une fréquence de fonctionnement maximale de 64 MHz
  • 256 KB de mémoire flash et 128 KB de SRAM
  • Courant en mode actif : 25 µA/MHz (en cas d’utilisation du LDO intégré), 12 µA/MHz (en cas d’utilisation d’un convertisseur DC/DC externe)
  • Courant en mode veille : 400 nA
  • Plage de tension de fonctionnement : 1,62V – 3,6V. Fonctionnement à haute vitesse (jusqu’à 64 MHz) à partir de 1,62V
  • Gamme de boîtier : WLBGA carré à 72 broches d’environ 3 mm, QFN carré à 56 broches de 7 mm, LQFP carré à 100 broches de 14 mm et LQFP carré à 64 broches de 10 mm
  • Circuit de contrôle de collecte d’énergie intégré (charge rapide du condensateur de démarrage, fonctionnalité de protection de la charge de la batterie secondaire)
  • CA/N 14 bits à très faible consommation d’énergie (4 µA)
  • Programmation de la mémoire flash avec seulement environ 0,6 mA de puissance
  • Fonctions de sécurité robustes utilisant le noyau « Trusted Secure IP »
  • Mode veille profonde avec horloge temps réel (RTC) consommant 380 nA à 1,8V

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