Renesas et TSMC collaborent en microcontrôleurs 28 nm
Grand spécialiste des microcontrôleurs pour l’automobile, le Japonais Renesas annonce une collaboration avec le Taïwanais TSMC, premier fondeur mondial, afin de développer un procédé technologique 28 nm de mémoire flash embarquée (eFlash) destiné à la fabrication de microcontrôleurs pour la prochaine génération de voitures propres et à conduite autonome.
Les premiers échantillons de ces microcontrôleurs réalisés en technologie 28 nm avec mémoire flash embarquée seront disponibles en 2017, pour une production de masse prévue en 2020.
Renesas et TSMC collaborent étroitement au développement et à la production de microcontrôleurs avec mémoire flash embarquée depuis la génération technologique 90 nm. Quatre ans plus tard, ils ont élaboré une plateforme de microcontrôleurs en technologie 40 nm, avant d’étendre aujourd’hui leur collaboration au 28 nm. Les travaux des deux partenaires feront appel à la technologie eFlash MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) de Renesas et au procédé basse consommation 28nm high-K metal gate du fondeur taïwanais.
Les applications visées par ces microcontrôleurs de nouvelle génération concernent la conduite autonome, les véhicules électriques et la gestion de la consommation des moteurs thermiques.
