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ST améliore de 40% le facteur de mérite de ses Mosfet 100 V canal N de qualité industrielle

ST améliore de 40% le facteur de mérite de ses Mosfet 100 V canal N de qualité industrielle

Les Mosfet STL120N10F8 du groupe franco-italien présentent une résistance drain-source à l’état passant maximale de 4,6 mΩ et une charge grille-drain ramenée à 15 nC, et sont capables de fonctionner à une fréquence de commutation jusqu’à 600 kHz.

Dans la course à la performance dans le domaine de la conversion d’énergie, les solutions silicium continuent à avoir leur mot à dire. C’est dans cette optique que s’inscrivent les Mosfet 100 V canal N de qualité industrielle que STMicroelectronics vient de commercialiser.

Référencés STL120N10F8, ces Mosfet combinent une charge grille-drain (Qgd) très faible (15 nC en valeur typique) et une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) ne dépassant pas 4,6 mΩ (à Vgs = 10 V), offrant ainsi un facteur de mérite (FoM) amélioré de 40 % par rapport à celui des Mosfet similaires de précédente génération.

Les Mosfet STL120N10F8 tirent profit de la technologie STPOWER STripFET F8 du groupe franco-suisse, qui introduit une tranchée remplie d’oxyde et permet de très faibles pertes de conduction combinées à une faible charge de grille pour des performances de commutation plus efficaces. Les STL120N10F8 peuvent ainsi fonctionner à des fréquences de commutation jusqu’à 600 kHz.

La technologie STripFET F8 garantit également, selon STMicroelectronics, une valeur de capacité de sortie permettant d’atténuer les pics de tension drain-source et de minimiser les pertes d’énergie de charge-décharge, en vue d’une réduction des émissions électromagnétiques.

Encapsulés en boîtier PowerFLAT5x6, les nouveaux Mosfet présentent également une répartition étroite de la tension de grille seuil (Vgs(th)) afin de simplifier la connexion en parallèle de plusieurs Mosfet dans les applications à courant élevé. Ils sont par ailleurs capables de supporter des courants de court-circuit jusqu’à 800 A pour des impulsions de l’ordre de 10 µs.

Il s’agit des premiers Mosfet 100 V en technologie STRIPFET F8 à être entièrement qualifiés selon les spécifications de qualité industrielle. Ce qui leur permet de viser des applications telles que la commande de moteurs, les alimentations et convertisseurs dédiés aux systèmes télécoms et informatiques, et l’éclairage Led et basse tension.

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