STMicroelectronics projette d’investir 650 M$ dans le SiC d’ici 2025
STMicroelectronics prévoit d’investir 650 millions de dollars d’ici 2025 pour augmenter ses capacités de production de semiconducteurs en carbure sur silicium (SiC), a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général du groupe franco-italien. L’entreprise a déjà investi 250 M$ dans cette filière promise à une forte croissance au cours des deux dernières années.
L’annonce a été faite la semaine dernière à Catane, en Italie, à l’occasion d’un voyage de presse auquel nous n’étions pas invités. Le SiC est un axe majeur de développement pour ST. Le groupe a réalisé 100 M$ de ventes dans ce domaine en 2018, vise 200 M$ cette année et 1 milliard d’ici 5 ans.
ST vise à terme une part de marché de 30% sur ce créneau. Début janvier, à l’occasion de l’annonce de la signature d’un accord pluriannuel avec Cree portant sur la fourniture à ST de tranches en carbure de silicium de 150 mm pour un montant de 250 millions de dollars, Jean-Marc Chéry avait déclaré : « « ST est aujourd’hui la seule société de semiconducteurs capable de produire en volume des circuits en carbure de silicium pour l’environnement automobile et nous souhaitons accélérer la croissance de notre activité SiC, tant en termes de volume que de diversité des applications servis, en vue d’atteindre une position de leader sur un marché estimé à plus de 3 milliards de dollars en 2025 ».
Puis, en février, ST a annoncé avoir signé un accord portant sur l’acquisition d’une participation majoritaire dans le capital de Norstel, fabricant suédois de tranches en carbure de silicium (SiC). Après la clôture, ST contrôlera l’intégralité de la chaîne d’approvisionnement pour une partie de ses produits en SiC. ST va acquérir 55% du capital social de Norstel, avec une option d’acquisition des 45% restants soumis à certaines conditions, qui, si elle est exercée, se traduira par un prix total de 137,5 millions de dollars. Selon EETimes, ST pourrait faire appel à Norstel pour, à terme, faire passer sa production de circuits SiC sur tranches de 200 mm de diamètre, contre 150 mm actuellement.
