Très fortes croissances attendues pour les marchés du SiC et du GaN
Le marché mondial des semiconducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) devrait bondir de 73% cette année, à 83 millions de dollars, tandis que le marché des semiconducteurs de puissance SiC (carbure de silicium) devrait passer de 680 M$ en 2020, à 3390 M$ en 2025, selon le cabinet d’études taïwanais TrendForce.
La demande de stations de base, de convertisseurs et de stations de recharge de télécommunications a connu une croissance considérable cette année en raison des développements en cours dans les télécommunications 5G, l’électronique grand public, la conversion d’énergie pour le marché industriel et les véhicules électriques, selon TrendForce. Alors que cette demande a généré une augmentation correspondante de la demande de composants et de dispositifs alimentés par des semiconducteurs de troisième génération GaN et SiC, le marché des semiconducteurs de puissance GaN devrait connaître la plus forte croissance. TrendForce s’attend à ce que les revenus semiconducteurs GaN pour 2021 atteignent 83 millions de dollars, soit une augmentation de 73% par rapport à 2020. Ce marché devrait croître en moyenne de 73% par an, pour atteindre alors 850 M$ en 2025. L’électronique grand public représente 60% des débouchés, devant les véhicules à énergie nouvelle (NEV qui incluent véhicules électriques et hybrides rechargeables) qui absorbent 20% du marché, et les centres données/télécoms (15%). TrendForce constate ainsi qu’environ 10 fabricants de smartphones ont sorti plus de 18 modèles de smartphones équipés d’une capacité de charge rapide, tandis que les fabricants d’ordinateurs portables indiquent également leur volonté d’adopter la charge rapide pour les ordinateurs portables.
Par ailleurs, le chiffre d’affaires annuel des semiconducteurs de puissance SiC devrait croître de 38% par an en moyenne et atteindre 3,39 milliards de dollars en 2025. Les véhicules à énergie nouvelle, la production/le stockage d’énergie solaire et les stations de recharge représentant les trois principaux débouchés des circuits SiC : respectivement 61%, 13% et 9%. Dans l’automobile, en particulier, les semiconducteurs SiC sont les plus largement utilisés dans les onduleurs de groupe motopropulseur, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC-DC.
Du fait de la difficulté à faire croître ces matériaux par épitaxie et du passage en cours de tranches de 150 mm vers de tranches de 200 mm de diamètre, TrendForce estime que ces substrats de 3e génération sont 5 à 20 fois plus chers à fabriquer que les substrats traditionnels en silicium de 200à 300 mm de diamètre. Les principaux fournisseurs de tranches SiC sont actuellement Cree et II-VI aux États-Unis, Rohm au Japon et STMicroelectronics en Europe.
