Mouser distribue les composants GaN d’EPC
L’intégralité du catalogue de transistors et de circuits intégrés GaN d’Efficient Power Conversion, qui couvrent des tensions allant de 15 V à 350 V, est désormais accessible via le réseau mondial de distribution de Mouser Electronics.
Efficient Power Conversion (EPC), société californienne spécialisée dans les dispositifs de puissance en nitrure de gallium à mode d’enrichissement (eGaN), vient de signer un accord de distribution mondial avec Mouser Electronics. Ce partenariat permettra au distributeur de proposer l’ensemble du portefeuille de transistors FET et de circuits intégrés eGaN d’EPC à sa clientèle internationale d’ingénieurs et de concepteurs électroniques.
Les composants GaN d’EPC couvrent des tensions de 15 V à 350 V et visent les applications nécessitant un rendement énergétique élevé et une forte densité de puissance. Selon l’entreprise, sa dernière génération de composants affiche des performances supérieures aux Mosfet traditionnels, mais aussi aux précédentes générations de composants GaN.
© Efficient Power Conversion (EPC)
Grâce à cet accord, les clients de Mouser pourront intégrer plus facilement les technologies eGaN dans leurs nouveaux développements. Les applications ciblées incluent notamment les convertisseurs de puissance, les variateurs pour véhicules électriques, les systèmes robotiques ou encore les drones.
« Cet accord mondial avec Mouser s’inscrit dans notre stratégie de distribution visant à toucher un plus grand nombre d’ingénieurs qui envisagent de concevoir des systèmes à base de GaN en raison des avantages que procure cette technologie par rapport au silicium », souligne Nick Cataldo, vice-président senior des ventes et du marketing d’EPC.
De son côté, Heather McGriff, vice-présidente de la gestion des fournisseurs chez Mouser, estime que « la gamme de solutions de puissance haute performance d’EPC complète parfaitement notre offre et répond aux besoins de nos clients ».
Avec cet accord, EPC renforce la visibilité commerciale de ses technologies GaN dans un contexte où les architectures de conversion de puissance à haut rendement gagnent du terrain face aux solutions silicium conventionnelles, notamment dans les secteurs de l’automobile électrique, de l’industrie et des systèmes embarqués.
