Semiconducteurs de puissance SiC et GaN : 1 milliard de dollars en 2020
Alors que le fondeur allemand X-FAB lance un service de production de circuits SiC sur tranches de 150 mm de diamètre (voir notre article dans Europelectronics), IHS publie une étude qui montre que le marché des semiconducteurs de puissance en technologie carbure de silicium (SiC) et nitrure de gallium (GaN) devrait enfin décoller, passant de 210 millions de dollars en 2015, à plus de 1 milliard en 2020 et 3,7 milliards de dollars en 2025.
La demande pour équiper les véhicules électriques et hybrides, les alimentations et les onduleurs pour le photovoltaïque devraient tirer ce marché émergent.
D’ici à 2020, IHS prévoit que les composants de nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) atteindront la parité de prix avec les MOSFETs silicium et les IGBTs, mais avec des performances supérieures. Le marché des circuits de puissance GaN prendra ainsi son essor pour dépasser 600 M$ en 2025. A cette date, le marché des semiconducteurs de puissance SiC (essentiellement des modules) devrait atteindre, quant à lui, 3 milliards de dollars.
Plus d’informations sur l’étude dans Europelectronics.
