Carbure de silicium : Soitec prépare une production sur tranches de 200 mm
Soitec a sorti son premier substrat de carbure de silicium SmartSiC en 200 mm de diamètre. Avec cette étape, Soitec est en mesure d’étendre son portefeuille de produits SiC au-delà du 150 mm, de passer à la vitesse supérieure dans le développement de ses substrats SmartSiC, afin de répondre ainsi à la demande croissante du marché automobile.
Le substrat SmartSiC en 200mm est sorti de la ligne pilote de Soitec au sein de son « Substrate Innovation Center « , situé au CEA-Leti à Grenoble. Cette sortie a permis à Soitec de démontrer la qualité et les performances d’un substrat SmartSiC en 200 mm et de mener une première série de validations auprès de clients clés.
Soitec a lancé la construction d’une nouvelle usine en France, Bernin 4, en mars 2022. Cette usine est principalement dédiée à la fabrication de substrats SmartSiC en 150 mm et 200 mm et devrait être opérationnelle d’ici le second semestre 2023.
La technologie unique SmartSiC de Soitec permet d’améliorer les performances des dispositifs d’électronique de puissance et d’augmenter l’efficacité énergétique des véhicules électriques. La technologie consiste à coller une très fine couche de SiC de haute qualité sur une tranche de polySiC à très faible résistivité.
« Les substrats SmartSiC de Soitec joueront un rôle clé pour une électromobilité économe en énergie. Notre technologie unique nous permet d’être les pionniers de substrats techniques de pointe et d’ouvrir de nouvelles perspectives pour l’électronique de puissance sur les marchés de l’automobile et de l’industrie. L’ajout du 200 mm à notre famille de substrats SiC nous permet de différencier davantage notre gamme et de répondre à un éventail encore plus large d’exigences des clients, en termes de qualité, de fiabilité, de volume et d’efficacité énergétique. La sortie d’un substrat SmartSiC en 200 mm est une étape importante dans le développement et le déploiement de notre technologie SmartSiC », déclare Christophe Maleville, directeur de la technologie de Soitec.
Afin de réduire les coûts, tous les fabricants impliqués dans la filière SiC ont pour objectif de passer au 200 mm par rapport à des tranches de 150 mm de diamètre qui constituent l’état de l’art actuel. L’Américain Wolfspeed a franchi le pas en inaugurant fin avril son usine de fabrication de circuits SiC de Mohawk Valley à Marcy, dans l’Etat de New York (voir notre article).
De son côté, Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics, avait révélé fin novembre à L’Usine Nouvelle sa décision de créer à Catane, en Italie, sa propre unité de production de tranches SiC de 200 mm, afin de couvrir 40% de ses approvisionnements d’ici 2024 pour la réalisation de semiconducteurs en carbure de silicium. Rappelons que le 27 juillet (voir notre article), STMicroelectronics avait annoncé avoir fabriqué les premières tranches non épitaxiées en carbure de silicium (SiC) de 200 mm de diamètre destinées au prototypage de composants de puissance sur son site de Norrköping en Suède (anciennement chez Norstel, société suédoise acquise par ST en 2019).
Selon Yole Développement, le marché mondial des composants SiC pourrait atteindra 6,3 milliards de dollars en 2027 (voir notre article).
