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Le plus petit FET 100 V, 2 mΩ, du marché est signé EPC

Le plus petit FET 100 V, 2 mΩ, du marché est signé EPC

Œuvre de l’Américain Efficient Power Conversion, le FET 100 V en technologie GaN référencé EPC2071 se caractérise par une résistance à l’état passant de 2 mΩ, une fréquence de commutation de 1 MHz et un encombrement d’à peine plus de 10 millimètres carrés.

L’Américain EPC (Efficient Power Conversion) poursuit sa quête de miniaturisation des transistors de puissance avec la sortie de l’EPC2071, un FET 100 V en technologie GaN doté d’une résistance à l’état passant Rds(on) de 2 mΩ et annoncé comme le plus compact du marché, avec une empreinte de seulement 4,45 x 2,3 mm sur le circuit imprimé. Cela correspond à un tiers de la taille d’un Mosfet en silicium à Rds(on) identique, selon EPC. Quant à sa fréquence de commutation, elle peut atteindre 1 MHz.

Disponible au prix de 3,81 dollars l’unité par quantité de 1000 pièces, l’EPC2071 cible les applications à haute densité de puissance, y compris les convertisseurs DC-DC 48 V-54 V utilisés dans les nouveaux serveurs, ainsi que les moteurs BLDC des vélos et scooters électriques, des robots, des drones et des outils électriques.

Parallèlement, EPC a développé une carte de conception référencée EPC9174 sous la forme d’un convertisseur 48 V – 12V délivrant 1,2 kW dans un format compact de 22,9 x 58,4 x 10 mm, soit une densité de puissance de 1472 W par pouce au cube, ou environ 90 W par centimètre cube. Le rendement maximum atteint 97,3% à 550 W et 96,3% à pleine charge (12 V et 100 A en sortie). La carte de développement EPC9174 est disponible au prix de 498 dollars l’unité.

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