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Toshiba peaufine ses transistors Mosfet 650 V

Toshiba peaufine ses transistors Mosfet 650 V

Les derniers modèles de la gamme DTMOS de Mosfet 650 V canal N du Japonais affichent un facteur de mérite réduit de 40% par rapport aux modèles précédents.

Toshiba Electronics ajoute quatre nouveaux transistors Mosfet de puissance canal N 650 V à sa série DTMOS. Destinés notamment aux alimentions pour applications industrielles et d’éclairage, les Mosfet référencés TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z et TK190E65Z, que Toshiba regroupe sous l’appellation DTMOSVI, se caractérisent par un facteur de mérite (produit de la résistance drain-source à l’état passant par la charge grille-drain) réduit de 40% par rapport à la génération DTMOS précédente, ce qui se traduit par une diminution substantielle des pertes de commutation aux fréquences élevées, par rapport aux dispositifs antérieurs.

Capables de s’accommoder d’un courant de drain pouvant atteindre 30 A, ces transistors présentent une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) pouvant descendre à 90 mΩ et une charge grille-drain (Qgd) minimale de 7,1 nC. Tous ces dispositifs sont conditionnés en boîtiers traversants standard TO-220.

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