Teledyne e2v HiRel ajoute deux HEMT (transistors à haute mobilité électronique) de puissance GaN renforcés à sa gamme de produits haute puissance de 650 V basée sur la technologie GaN Systems.

Les deux HEMT haute puissance, TDG650E30B et TDG650E15B, offrent des performances à plus faible courant de 30 et 15 ampères respectivement, tandis que le 650 V original introduit l’année dernière, le TDG650E60, délivre 60 A.

Ces HEMT GaN 650 V sont les dispositifs d’alimentation GaN à tension la plus élevée disponibles sur le marché pour les applications militaires, avioniques et spatiales exigeantes à haute fiabilité. Ils conviennent aux applications telles que l’alimentation électrique, la commande de moteur et les topologies en demi-pont.

Ils sont livrés avec une configuration refroidie par le bas et sont dotés d’une matrice à FOM Island Technology ultra-faible, d’un boîtier GaNPX à faible inductance, d’une commutation à très haute fréquence de >100 MHz, de délais de chute et de montée rapides et contrôlables, d’une capacité de courant inverse, et bien plus.

Le TDG650E15B et le TDG650E30B sont tous deux des transistors de puissance GaN-sur-silicium en mode d’optimisation qui permettent un courant élevé, une panne haute tension et une fréquence de commutation élevée tout en offrant une très faible résistance thermique jonction-boîtier pour les applications haute puissance.

Les dispositifs au nitrure de gallium ont révolutionné la conversion de puissance dans d’autres industries et sont maintenant disponibles dans des boîtiers encapsulés en plastique tolérants aux rayonnements qui ont subi des tests de fiabilité et électriques rigoureux pour assurer le succès critique de la mission. Le lancement de ces nouveaux HEMT GaN offre aux clients les avantages requis par les applications électriques essentielles des secteurs de l’aérospatiale et de la défense en matière d’efficacité, de taille et de densité de puissance.

Pour toutes les gammes de produits, Teledyne e2v HiRel effectue la qualification et les tests les plus exigeants adaptés aux applications à fiabilité maximale. Pour les appareils électriques, ce régime comprend un test sulfurique, une simulation à haute altitude, un rodage dynamique, une contrainte par palier allant jusqu’à 175 ° C ambiant, une tension de grille de 9 volts et des tests de température exhaustifs. Contrairement aux dispositifs au silicium sur carbure (SiC), ces deux dispositifs peuvent facilement être configurés en parallèle pour augmenter le courant de charge ou abaisser le RDSon effectif.

Fabricant : Teledyne e2v HiRel

Référence : TDG650E30B et TDG650E15B