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Infineon réduit de 25% les pertes de commutation de ses Mosfet SiC 1200 V

Infineon réduit de 25% les pertes de commutation de ses Mosfet SiC 1200 V

La dernière génération de Mosfet CoolSiC 1200 V de l’Allemand se distingue par des pertes de commutation inférieures de 25 % à celles de la première génération de ses Mosfet en carbure de silicium (SiC) qualifiés pour l’automobile. Mais pas seulement…

Infineon vient de lancer la commercialisation de sa dernière génération de Mosfet CoolSiC 1200 V destinée aux applications automobiles, notamment aux chargeurs embarqués (OBC) et aux convertisseurs DC-DC dédiés aux véhicules électriques. Logés en boîtier TO263-7, ces Mosfet se distinguent par des pertes de commutation inférieures de 25 % à celles de la première génération de Mosfet 1200 V en carbure de silicium (SiC) d’Infineon qualifiés pour l’automobile, avec à la clé, un fonctionnement à plus haute fréquence, conduisant à des tailles de système plus petites et à une densité de puissance accrue.

© Infineon

Avec une tension grille-source seuil (Vgs(th)) supérieure à 4 V et un rapport capacité de transfert sur capacité d’entrée (Crss/Ciss) très faible, une coupure fiable à Vgs = 0 V est obtenue sans risque d’amorçage parasite, selon le fabricant allemand. De quoi permettre une commande unipolaire, source de réduction du coût et de la complexité du système.

A cela s’ajoute une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) pouvant être abaissée à seulement 9 mΩ – une première pour un Mosfet SiC 1200 V en boîtier TO263-7, selon Infineon – de manière à réduire les pertes par conduction sur toute la plage de température de fonctionnement qui s’échelonne entre -55°C et +175°C.

Parmi les autres propriétés intéressantes de cette nouvelle génération de Mosfet CoolSiC 1200 V, on retiendra également une température de jonction réduite de 25 % par rapport à la première génération, grâce à une technologie propriétaire de soudage par diffusion (.XT technology) qui améliore de manière significative les capacités thermiques du boîtier, ou bien encore le fait que ces Mosfet possèdent une ligne de fuite de 5,89 mm, compatible avec les systèmes 800 V des véhicules électriques de nouvelle génération.

Infineon précise enfin que ces Mosfet SiC sont intégrés dans la dernière plateforme OBC de Kostal Automobil Elektrik, destinée aux équipementiers automobiles chinois.

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