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Innoscience enrichit sa gamme de transistors HEMT 650 V en technologie GaN-on-Si

Innoscience enrichit sa gamme de transistors HEMT 650 V en technologie GaN-on-Si

Le Chinois enrichit sa gamme InnoGaN de transistors à haute mobilité électronique de 650 V avec des modèles affichant des résistances drain-source à l’état passant de 190, 350 ou 600 mΩ.

Spécialiste des solutions de puissance exploitant une technologie sur nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si), Innoscience Technology annonce la commercialisation de trois modèles de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) de 650 V. Encapsulés en boîtiers DFN standard de 8 x 8 mm ou 5 x 6 mm, ces composants affichent des résistances drain-source à l’état passant Rds(on) de 190, 350 et 600 mΩ selon les modèles et viennent combler les lacunes de la gamme InnoGaN de transistors HEMT 650 V de l’entreprise chinoise qui ne disposait, jusqu’ici, que de déclinaisons avec Rds(on) de 140, 240 et 500 mΩ.

« Ces nouveaux dispositifs complètent notre portefeuille de transistors HEMT de 100 à 600 mΩ en 650 V. Je suis particulièrement heureux de l’ajout du modèle 650 V/190 mΩ car il est en passe de devenir la norme dans l’industrie du GaN, en offrant plus de souplesse aux clients dans leur choix de fournisseur pour leurs applications », précise Yi Sun, vice-président du développement produits chez Innoscience.

Homologués JEDEC pour la puce et le boîtier, tous ces composants ont également passé le test de fiabilité DHTOL (Dynamic High Temperature Operating Life) conformément à la norme JEP180, qui est la nouvelle directive JEDEC relative à la technologie GaN. Qui plus est, les HEMT 650 V d’Innoscience ont subi des tests de durée de vie accélérée au-delà de 1000 V, qui ont permis de calculer une durée de vie de 36 ans à 80% de la tension nominale (520 V, 150°C, avec un taux de défaillance de 0,01%).

Ces composants présentent par ailleurs des résultats de bonne facture au niveau de la tension drain-source transitoire (Vds transitoire) – à savoir 800 V pour des événements non répétitifs avec une durée d’impulsion pouvant atteindre 200 µs – et au niveau de la tension drain-source pulsée (Vds pulsé) pour des impulsions répétitives – à savoir 750 V pour des durées jusqu’à 100 ns, pour les dispositifs à Rds(on) 190 mΩ. Bien sûr, tous ces transistors sont dotés d’un circuit de protection ESD intégré à la puce, afin de faciliter l’assemblage en série et de faciliter leur manipulation.

Parmi les débouchés ciblés par ces HEMT 650 V, citons les convertisseurs PFC, les convertisseurs DC-DC, les pilotes de Led, les chargeurs rapides de batteries, les adaptateurs pour ordinateurs portables et tout-en-un (AiO), les alimentations pour PC de bureau, téléviseurs, outils électriques, etc.

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