Toshiba réduit la capacitance de ses diodes de protection de 25%
Les diodes TVS DF2B6M4BSL du Japonais présentent une valeur de capacité réduite à seulement 0,12 pF pour éviter les effets de distorsion harmonique dans les applications RF.
Dans les antennes haute fréquence pour les communications radio telles que le Wi-Fi utilisées dans les équipements électroniques, la qualité du signal d’origine doit être conservée. Encore faut-il réduire au maximum les effets de distorsion harmonique causés par les diodes TVS (Transient Voltage Suppressor) ajoutées dans ce type de systèmes pour les protéger contre les décharges électrostatiques. Et pour éviter ces effets de distorsion, la recette consiste à réduire au maximum la capacitance de ces diodes TVS.
C’est l’objectif auquel s’est attaché Toshiba pour développer DF2B6M4BSL, un composant de protection optimisé pour ce type d’applications et dont la valeur de capacité a été réduite de 25% par rapport aux diodes TVS de précédente génération de Toshiba (DF2B6M4ASL), pour la ramener à une valeur typique de seulement 0,12 pF (0,15 pF maximum).
Grâce à sa faible capacitance, la diode TVS DF2B6M4BSL montre une réponse très rapide dans la suppression des pics de haute tension sans affecter la qualité du signal de données d’origine. Par exemple, lorsqu’elle est utilisée à 5,0 GHz dans les applications Wi-Fi, avec une entrée de 20 dBm, elle présente une distorsion de -64,7 dB au deuxième harmonique et de -55,5 dB au troisième. A 2,4 GHz, ces valeurs sont de -65,5 dB et -54,4 dB, respectivement.
Capables de résister à une décharge électrostatique de +/-8 kV, ces composants sont encapsulés en boîtier CMS de seulement 0,62 x 0,32 x 0,3 mm.
