Le Japonais Rohm et STMicroelectronics annoncent la signature d’un accord pluriannuel portant sur la fourniture à ST de tranches en carbure de silicium (SiC) par SiCrystal, société du groupe Rohm ayant une part importante du marché des tranches SiC en Europe.

Selon les termes de cet accord, SiCrystal fournira à STMicroelectronics des tranches SiC réalisées en technologies avancées de 150 mm de diamètre pour un montant supérieur à 120 millions de dollars durant cette période marquée par une augmentation de la demande pour les circuits de puissance à base de carbure de silicium.

« Ce nouvel accord à long terme concernant l’approvisionnement en substrats SiC vient s’ajouter aux capacités externes que nous avons déjà sécurisées, ainsi qu’à nos capacités internes qui montent en puissance. Cela permettra à ST d’augmenter le volume et d’équilibrer les sources d’approvisionnement des tranches SiC dont nous aurons besoin pour répondre au fort accroissement de la demande de nos clients pour leurs programmes automobiles et industriels au cours des prochaines années », a déclaré Jean-Marc Chéry, président du directoire et directeur général de STMicroelectronics.

Rappelons en effet que début décembre ST a finalisé l’acquisition totale de Norstel, fabricant suédois de tranches en carbure de silicium pour un montant de 137,5 millions de dollars. Précédemment, en novembre 2019, l’Américain Cree et ST avaient annoncé l’accroissement et l’extension à plus de 500 millions de dollars de leur accord pluriannuel existant pour la fourniture à long terme de tranches SiC. Cet accord élargi doublait ainsi la valeur de l’accord initial entre les deux parties.

« SiCrystal, société du groupe Rohm, est l’un des leaders sur le marché du carbure de silicium et fabrique des tranches SiC depuis de nombreuses années. Nous sommes très heureux de conclure cet accord d’approvisionnement avec STMicroelectronics, un client de longue date », a déclaré Robert Eckstein, président et CEO de SiCrystal, société du groupe Rohm.