Les transistors Mosfet haute tension de Magnachip montent en gamme
Un nouveau procédé de fabrication permet aux Mosfet à super-jonction (SJ Mosfet) de 600 V du Coréen de réduire leurs pertes de commutation de 10% par rapport à la génération précédente.
Cela fait maintenant près de dix ans (2013) que Magnachip Semiconductor a lancé sa gamme de transistors Mosfet à super-jonction (SJ Mosfet) dont il estime avoir écoulé deux milliards d’unités. Et le Coréen ne compte pas s’arrêter en si bon chemin avec le lancement d’une nouvelle génération de ses SJ Mosfet 600 V comprenant pas moins de onze modèles différents en boîtiers standard de type DPAK TO-220F et TO-220SF.
Ciblant les téléviseurs, les équipements d’éclairage, les chargeurs rapides, les adaptateurs, ainsi que les PC grand public et industriels, les SJ Mosfet de dernière génération de Magnachip inaugurent un nouveau procédé de fabrication qui leur confère une perte de commutation réduite de 10% par rapport aux transistors de précédente génération, améliorant ainsi leur rendement.
Caractérisée par une résistance drain-source à l’état passant comprise entre 190 et 580 mΩ selon les modèles, cette gamme de composants intègrent également une diode Zener entre la grille et la source en guise de protection du composant en cas d’environnement agressif en termes de décharges électrostatiques.
« Avec des technologies et des produits éprouvés par l’industrie, Magnachip a satisfait aux dernières exigences de conception pour les marchés grand public et industriels et nous continuerons à développer nos SJ Mosfet haute tension afin d’élargir notre portefeuille de produits et d’apporter de nouvelles capacités à davantage d’applications telles que l’automobile », promet YJ Kim, p-dg de Magnachip.
Pour l’heure, l’échantillonnage des SJ Mosfet de dernière génération de Magnachip est d’ores et déjà effectif, tandis que la production de volume est prévue pour mars prochain.
