STMicroelectronics annonce avoir finalisé l’acquisition totale de Norstel, fabricant suédois de tranches en carbure de silicium (SiC). ST renforce ainsi son écosystème SiC, de l’expertise des matériaux et de l’ingénierie des processus à la conception et à la fabrication de diodes et de MOSFET SiC.

ST a exercé son option d’acquisition des 45% restants du capital social de Norstel, suite à la transaction initiale annoncée en février 2019. L’acquisition de Norstel représente un montant total de 137,5 millions de dollars.

« À un moment où la capacité globale est limitée pour le carbure de silicium, l’acquisition totale de Norstel renforcera notre écosystème interne SiC : cette acquisition permettra d’accroître notre flexibilité, d’améliorer notre productivité industrielle et la qualité de nos plaquettes, ainsi que de soutenir notre feuille de route et notre activité à long terme pour le marché du carbure de silicium », a déclaré Jean-Marc Chéry, Président du Directoire et Directeur Général de STMicroelectronics. « Cette acquisition vient s’ajouter aux accords d’approvisionnement en plaquettes conclus avec des entreprises tierces, dans l’objectif global de sécuriser le niveau d’approvisionnement requis pour fabriquer des MOSFET et des diodes afin de répondre à l’accélération des programmes de nos clients des secteurs automobile et industriel dans les années à venir » ajoute-il.

Rappelons qu’en novembre, Cree et STMicroelectronics ont annoncé l’accroissement et l’extension à plus de 500 millions de dollars de leur accord pluriannuel existant pour la fourniture à long terme de tranches en carbure de silicium (SiC). Cet accord élargi multiplie ainsi par deux la valeur de l’accord initial aux termes duquel Cree fournira à STMicroelectronics des tranches en carbure de silicium avec et sans épitaxie en 150 mm au cours des prochaines années.

Norstel sera entièrement intégrée aux activités mondiales de R&D et de fabrication de ST. L’entreprise poursuivra le développement de ses activités couvrant à la fois la production de tranches en carbure de silicium avec et sans épitaxie en 150 mm, la R&D concernant la production de tranches en 200 mm de diamètre, ainsi que, plus largement, les matériaux large bande (WBG).