Rohm va tripler sa capacité de production de substrats SiC en Allemagne
SiCrystal, filiale du Japonais basée à Nuremberg, lance les travaux d’une nouvelle usine qui lui permettra de tripler sa capacité de production de substrats SiC d’ici 2027.
Étiquette : Rohm
STMicroelectronics, numéro un mondial des fabricants de composants SiC
Selon TrendForce, le groupe franco-italien a conservé en 2023 sa première place mondial avec près d’un tiers du marché. Il a devancé onsemi, qui a fortement progressé dans le classement l’an dernier, Infineon, Wolfspeed et Rohm.
Résistances shunt miniatures supportant jusqu’à 5 W
En exploitant un élément résistif en alliage métallique tolérant aux courants élevés, les résistances shunt de la série PMR100 développées par Rohm pour la détection de courant sont désormais capables de s’accommoder de puissance jusqu’à 5 W malgré leur taille réduite.
Fourniture de substrats SiC : Rohm et ST étendent leur partenariat
L’extension de l’accord pluriannuel existant porte sur la fourniture par SiCrystal, une filiale de Rohm, de volumes plus importants de substrats SiC en tranches 150 mm, pour une valeur minimale de 230 millions de dollars.
Rohm et Toshiba s’unissent en électronique de puissance
Soutenus par leur gouvernement, les deux Japonais vont investir l’équivalent de 2,5 milliards d’euros pour accroître leur capacité de production en composants de puissance silicium et SiC, essentiellement pour l’automobile et l’industriel.
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