En internalisant l’épitaxie GaN grâce à la plateforme G10-GaN de l’Allemand Aixtron, le groupe japonais renforce son contrôle industriel et sa capacité de production en composants GaN. Une stratégie jugée plus efficace pour répondre à la demande croissante des marchés de l’IA et des véhicules électriques.
Selon la presse japonaise, l’équipementier automobile japonais, filiale de Toyota, aurait jeté l’éponge après que Rohm ait privilégié un accord avec Toshiba et Mitsubishi pour fusionner leurs activités en semiconducteurs et modules de puissance.
Le Japonais dévoile sa cinquième génération de Mosfet SiC dont la résistance drain-source à l’état passant est réduite d’environ 30% à haute température par rapport à la génération précédente. De quoi améliorer le rendement énergétique des véhicules électriques et des infrastructures énergétiques.
Dans un communiqué commun, les trois groupes japonais ont annoncé la signature d’un protocole d’accord marquant l’officialisation des discussions concernant la fusion de leurs activités respectives en semi-conducteurs et modules de puissance.
Alors que l’hypothèse d’un rachat par Denso n’est pas à exclure, Rohm aurait une autre option sur la table pour renforcer sa position dans le secteur des semiconducteurs de puissance : fusionner cette activité avec celle de son compatriote et partenaire Toshiba.
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